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芯片制造一种半导体晶片的制作方法与流程
发布时间:2021-01-21 18:25 来源:未知 点击次数:

  本创造触及一种半导体晶片的建造办法,出格是包罗对内涵层倒角的办法,同时合用于其他功率型半导体器件。

  在半导体工艺的内涵生长时,由于承载盘的盘口设想比衬底片源高,形成气流在衬底片源边沿工夫较长,因而边沿内涵质料聚集较晶片的其他地域高,构成内涵突出,而内涵突出的不规整特征在半导体的芯片工艺中会形成不良影响,低落半导体芯片的加工精度和良率。

  (3)对内涵层晶片的边沿停止倒角,倒角前晶片的边沿存在内涵突出部,在圆边倒角时,晶片跟砂轮同时扭转,假如晶片存在平边,那末对晶片的平边也停止倒角;

  按照本创造,优选的,所述倒角切削量小于10μm,所述切削量即倒角砂轮相对原晶片边沿的程度标的目的进给量。

  按照本创造,优选的,所述倒角量切削量为4μm~6μm。既能够很好的消弭晶片上的内涵突出,又制止损伤到需求保存的内涵层,制止毁伤内涵层、低落半导体器件的效能。

  按照本创造,优选的,所述倒角面幅为60-120μm。既能够很好的消弭晶片上的内涵突出,又制止损伤到需求保存的内涵层,制止毁伤内涵层、低落半导体器件的效能。

  按照本创造,优选的,所述倒角,是操纵倒角砂轮停止的,倒角砂轮在圆边活动线 mm/s,倒角砂轮在平边活动线 mm /s,既包管了倒角服从又制止过快速率酿成的毛边大概崩边非常。

  另外一方面,本创造还供给了一种半导体晶片,最少包罗内涵层和衬底,其特性在于,所述边沿具有光滑的倒角,所述倒角的地区最少包罗内涵层。

  按照本创造供给的晶片,停止切割加工后,获得一种半导体芯片构造,最少包罗内涵层,所述芯片边沿的内涵层或/和芯片边沿的衬底具有光滑的倒角。

  本创造还设想了一款用于晶片倒角的砂轮,所述建造装备对半导体芯片的内涵层停止倒角,包罗启齿为弧状或梯外形的成型倒角砂轮。

  本创造的无益结果是,处理了布景手艺中的成绩,借用本创造的晶片倒角工艺,消弭边沿突出,低落芯片制程由于晶圆厚度不划定规矩,酿成的各类芯片建造的精度成绩。本创造的其他无益结果将在施行例中进一步形貌。

  附图用来供给对本创造的进一步了解,而且组成仿单的一部门,与本创造的施行例一同用于注释本创造,其实不组成对本创造的限定。别的,附图数据是形貌提要,不是按比例绘制。

  上面分离示企图对本创造的停止具体的形貌,借此对本创造怎样使用手艺手腕来处理手艺成绩,并告竣手艺结果的完成历程能充实了解并据以施行。需求阐明的是,只需不组成抵触,本创造中的各个施行例和各施行例中的各个特性能够互相分离,所构成的手艺计划均在本创造的庇护范畴以内。

  (1)供给用于发展半导体内涵层的衬底,本施行例的衬底为具有平边的圆片,圆片的质料比方选用蓝宝石大概硅;

  (2)在内涵装备承载安装中,于衬底上发展内涵层,比方在MOCVD装备的石墨盘中,堆积建造成具有内涵层晶片,如图2中的暗影处,制得的内涵层晶片具有内涵突出部;

  (3)参看图3,操纵成型倒角砂轮对内涵层晶片的边沿停止倒角,倒角砂轮的事情面能够选用T型大概R型,按照实践建造结果,相对来讲图中的R型砂轮处置后的晶片芯片建造良率更佳,缘故原由是弧状的砂轮低落了倒角时分的打击力,倒角切削量小于10μm,优选为4-6μm,本施行例接纳5μm,所述切削量即倒角砂轮相对原晶片边沿直径标的目的的进给量。在圆边倒角时,砂轮的线mm/s,晶片跟砂轮同时扭转。本施行例的晶片存在平边,那末对晶片的平边也停止一道倒角工艺,倒角的线所示,倒角后的内涵片具有倒角面幅,面幅为60-120μm;

  参看图4,,经减薄抛光后,倒角晶片非报酬破片率较未倒角晶片低落0.06%,能够看出倒角后的晶片相对未对内涵突出倒角的晶片来讲更不容易在芯片加工过程当中分裂。

  参看图5,芯片工艺中包罗从陶瓷盘高低蜡的工艺环节,倒角晶片下蜡后厚度TTV(总幅度偏向)≤5μm的片源数目(73.10%)高于未倒角(63.86%),且倒角下蜡后TTV>5μm的片源数目较着低于未倒角的,阐明倒角后的晶片颠末减薄抛光后能够获得更好的厚度平均性。

  参看图6,按照芯片切割工艺的统计,颠末在引入12月倒角后的小尺寸芯片(比方100μm厚度,4μm*6μm规格的芯片),裂片的双晶比例相较未倒角的芯片较着降落。

  分离图7和图8,本施行例供给一种具有倒角的半导体晶片,半导体晶片最少由内涵层和衬底构成,内涵层的建造历程包罗半导体质料堆积,半导体晶片在边沿地位的内涵层上具有光滑倒角,为了充实消弭内涵发展时遗留的内涵突出,倒角也能够进一步延长到衬底上。倒角为圆弧面,圆弧面倒角的半径为0.05-0.2mm。

  参看图9,本施行例供给一种具有倒角的半导体芯片构造,最少具有半导体内涵层和衬底,以半导体为发光二极管为例,内涵层包罗第一半导体层、活性层和第二半导体层,第一半导体层上具有第一电极,第二半导体层上具有第二电极,芯片边沿的内涵层或/和芯片边沿的衬底具有光滑的倒角,倒角为圆角,圆角半径为0.05-2mm。

  分离图3和图10,本施行例供给一种用于半导体晶片倒角的建造装备,对半导体芯片的内涵层停止倒角,建造装备包罗启齿为弧状或梯外形的成型倒角砂轮。所述砂轮具有复数个启齿,能够同时对多个半导体晶片停止倒角,具有很高的倒角服从。本施行例的建造装备合用于包罗中小微尺寸产物在内的各型号芯片,面幅平均且可按照倒角请求来补正,没有边沿毛刺,假如接纳弧状砂轮则对位精度高,低落内涵层毁伤风险,倒角砂轮磨损平均,砂轮利用寿命长,低落了半导体晶片的消费本钱。

  虽然曾经形貌本创造的示例性施行例,可是了解的是,本创造不该限于这些示例性施行例而是本范畴的手艺职员可以在以下文的权益请求所请求的本创造的肉体和范畴内停止各类变革和修正。芯片制造一种半导体晶片的制作方法与流程

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